Crystal Structure

四方晶系D_4h点群

 Growing method

Czochralski method.

 Crystal Cell

a=b=7.12 ?， c=6.29 ?

 Density

4.22（g/cm³）

 Hardness

5（mohs）, glass-like

 Hygroscopic Susceptibility

Non-hygroscopic

  Melting Point

1825℃

 Thermal Optical Coefficient

dna/dT=8.5×10^-6/k；dnc/dT=3.0×10^-6/k

 Thermal Expansion Coefficient

a_a=4.43x10^-6/K a_c=11.37x10^-6/K

 Thermal Conductivity Coefficient

C：0.0523W/cm/K   C:0.0510W/cm/K

  Main properties include: Transparent   Range

0.45—5μm

(λ:μm) Sellmeier Equation

n_e²=3.77834+0.069736/(λ² -0.04724)-0.0108133λ²

n_e²=4.59905+0.110534/(λ² -0.04813)-0.0122676λ²

n \

0.63μm

1.30μm

1.55μm

n_o

1.9929

1.9500

1.9447

n_e

2.22154

2.1554

2.1486

（△n=n_e-n_o)

0.2225

0.2054

0.2039

（ρ，光轴45°）

6.04°

5.72°

5.69°

<001>±0.5o

Φ25mm×25mm

θ=0/45 o
Φ=0/45 o

2×2×7mm、4×4×7.5mm

可按照客户需求，定制特殊方向和尺寸的基片

光学或抛光成品
θ=0/45 o，Φ=0/45 o
双抛

尺寸公差：±0.05mm，晶向公差：±0.1 o
平 行 度：<15″ 平 面 度：<λ/4
表面质量：10/5

AR镀膜

R<0.25% (1550nm) （根据客户要求）

抛光

单面或双面

包装

100级洁净袋，1000级超净室