晶体生长炉系列
高真空晶体生长炉
高真空晶体生长炉


    高真空晶体生长炉采用感应加热方式,可用铱金、铂金、石墨、钼坩埚,坩埚封装在石英管内。






规格参数:
1.石英管为真空室,用于放置坩埚与保温罩;
2.中频感应线圈:Φ80-150 mm(可选配);
3.下部石英管密封,循环水强制冷却,,抽真空接口、充气口;
4.上部石英管密封,循环水强制冷却,提拉波纹管接口;
5.机架固定于炉台上;
6.波纹管,直径≤Φ42 x550 mm;
7.旋转机构,包括旋转电机、旋转密封磁流体;
8.提拉机构,旋转机构安装上提拉机构移动块上,提拉机构包括,步进电机、减速机滚、珠丝杠、导轨立柱和立柱旋转机构;
9.设定升降温程序,运行停、止暂停、中频启停;
升降控制包括,慢升慢降、快升和快降及速度大小(快升为手按住升或降松开停止)旋转控制包括:正转、反转、停止、速度大小;
10.指示灯,三色,红、黄、绿、用于故障报警;
11.控制柜,包括温度控制,运动控制电器等安装;



技术指标:
1.石英管:≤Φ80-130x500 mm(可选配);
2.籽晶杆慢速提拉:0.1-10mm/h可调;
3.籽晶杆快速提拉:10-70mm/min;  
4.籽晶杆旋转速度:0.1-50r/min;
5.籽晶杆炉内行程:≤400 mm;
6.提拉头旋转:0-180°;
7.真空度:冷炉极限真空:5x10-5Pa(中科科仪) ;
8.工作电源:Ac380V,50HZ, 额定功率:≥20KW
9.感应加热频率:2.5KHZ,功率因数≥0.9
10.效率≥80%最高工作温度范围:≥1800℃;
11.控温程序段:30段控温精度:≥0.5℃;
12.气路:支持两路混合气体通入。流量计:质量流量或浮子流量计(选配);
13.称重系统:量程2Kg称重精度:0.1g (选配);
14.触摸屏:10.2寸;
15.可用坩埚:Φ20-80 x50-80 mm(选配) ;
16.籽晶夹头:(选配) ;
17.炉腔内层裹保温:(选配) ;
18.占地:1.5m(宽)x 2m(长)x 2.4m(高);  

应用范围:
    该单晶炉是提拉法晶体生长专用设备(可加装下降系统),可实现在高压、高真空和保护气氛下生长晶体。采用自动称重结构,在保证晶体品质的前提下实现了提拉法晶体的自动生长过程。可以生长氧化物晶体(如YAG:Nd、Al2O3、TeO2、LiNbO3,等),半导体晶体(如InSb、GaAs、ZnSe、CdZn等),合金晶体(如Cu-Mg、Cd-Cu等)。被广泛应用于大学和研究所的实验室进行新晶体材料的提拉法生长性能探索与研究。

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