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RLL熔料搅拌生长炉
高温晶体生长炉
高温晶体生长炉

  晶体生长炉主要由晶体提拉控制系统、晶体旋转控制系统、真空泵操作控制系统、晶体生长温度控制系统等几 部分组成。采用驱动、传动技术及配套装置;采用工艺及材料制作的密封装置;采用可靠的水冷系统装置;使籽晶杆运转平稳,无爬行和振动。同时采用了可编程的炉温控制装置,实现了炉温自动控制。并设有手动快速升降装置,使用方便,是生长高熔点人工晶体的理想设备。


名称

单位

指标数

    炉温

    ≤2100

籽晶杆升速

mm/h

0.560

籽晶杆转速

rpm

0~50

籽晶杆行程

mm

600

冷炉极限真空度

Pa

6.67x10-3 

冷却水压

MPa

0.15~0.2

主要技术参数
炉体采用双层304L不锈钢水冷结构,极限真空小于10pa
  提拉机构:采用滚珠丝杠加导轨拖动移动平台直线运动。 称重控制采用应变式传感器。
  中频采用:DSP+IGBT全空冷数字结构,具有寿命长,功率因数高,谐波电流小,可靠性高,效率高的特点
系统特点:
  提拉速度和旋转速度在触摸屏上设置,具有故障报警、报警记录、数据记录,断电自动处理,超压报警等,数据记录可以通过U盘拷出放入计算机进行分析。
称重系统适合小晶体。已经成功生长多重晶体
  光电子材料仪器设备事业部在晶体材料研究与生产方面有50余年历史,从事光电晶体材料的研发、生长和设备研制,拥有提拉法、下降法、助熔剂法、区熔法、泡生法、导模法和热交换法等多种晶体生长方法和多套晶体生长设备和工艺,同时还拥有完善的检测晶体材料性能的检测设备。
1.提供晶体材料的研发、技术支持及产业化服务。并提供各种晶体生长及高温热处理设备(晶体生长炉、真空炉、气氛炉、退火炉和实验炉等)的研发、技术支持和产业化。 

提拉法与提拉炉

提拉法又称丘克拉斯基法,是丘克拉斯基(J.Czochralski)1917年发明的从熔体中提拉生长高质量单晶的方法,简称CZ法。提拉法是常用的单晶生长方法,可以生长包括铌酸锂、钽酸锂、氟化镁钇铝石榴石、蓝宝石、尖晶石、钒酸钇等多种晶体。提拉法生长晶体的提拉炉,包括加热装置、传动装置、气氛控制装置和控制装置等。

 

导模法

导模法是由苏联学者Stepanov1960年前后提出的,也称Stepanov法或者EFG法。随着时间的推移,这种方法不断发展,已经成为一种重要的晶体生长方法。这种晶体生长方法具有晶体生长速度快、成本低、晶体加工简单、组分均匀等优点导模法在单晶光纤、蓝宝石整流罩、蓝宝石管材、棒材等领域中诸多应用。

 

下降法

下降法是由Bridgmen1925年提出的,因此也称为Bridgmen法。这种方法的原理是将晶体原料装入坩埚中,通过炉体和坩埚的相对运动,实现晶体的生长。下降法常用于生长低熔点闪烁晶体,例如锗酸铋晶体、碘化铯晶体、钨酸铅等晶体。下降炉一般采用管式设计,一般有三个温区,分别是高温区、梯度区和低温区。

 


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