掺镁铌酸锂晶体具备优异的电光和非线性光学性能，机械和化学性能好, 可透过波段范围宽, 还具有高的抗激光损伤能力和易于长成大尺寸晶体的优点，在集成光学、光波导应用领域有着独特的优势。
铌酸锂晶体中，当掺入5mol%MgO后，所生长出来的MgOCLN晶体的抗激光损伤阈值可以提高2个数量级，OH-吸收峰红移至88375px-1，紫外吸收边移至310nm，极化翻转电压从21KV/mm降至6KV/mm以下。这些变化极大的拓展了LN晶体的应用范围。
光学级掺镁铌酸锂晶片(Optical Grade MgO:LiNbO3Wafer)
| 轴向 | Z轴 ± 0.2° |
| 直径 | 76.2mm±0.3mm |
| 基准面 | 22mm±2mm 于X轴夹角 ± 0.2° |
| 第二基准 | 10mm±3mm Cw180° ± 0.5° from OF Cw270° ± 0.5° from OF |
| 厚度 | 500um ± 5um 1000um ± 5um |
| 晶片表面 | 双面抛光S/D 20/10 |
| TTV | ≤ 6um |
| WARP | ≤ 20um |
| 浓度 | 0.5--6% |
| 折射率 | n0=2.2827 ± 0.0003 ne=2.1928± 0.0003 棱镜耦合法 @632.8nm 掺杂 5mol% |
| 边缘倒角 | 圆形倒角 |
特殊规格按客户要求
