产品描述：
晶体生长炉主要由晶体提拉控制系统、晶体旋转控制系统、真空泵操作控制系统、晶体生长温度控制系统等几 部分组成。采用驱动、传动技术及配套装置;采用工艺及材料制作的密封装置;采用可靠的水冷系统装置;使籽晶杆运转平稳，无爬行和振动。同时采用了可编程的炉温控制装置，实现了炉温自动控制。并设有手动快速升降装置，使用方便，是生长高熔点人工晶体的理想设备。
主要技术参数:
炉体采用双层304L不锈钢水冷结构，极限真空小于10pa
提拉机构：采用滚珠丝杠加导轨拖动移动平台直线运动。称重控制采用应变式传感器。
| 名称 | 单位 | 指标数 |
| 炉温 | ℃ | ≤2100 |
| 籽晶杆升速 | mm/h | 0.5～60 |
| 籽晶杆转速 | rpm | 0～50 |
| 籽晶杆行程 | mm | 600 |
| 冷炉极限真空度 | Pa | 6.67x10-3 |
| 冷却水压 | MPa | 0.15～0.2 |
系统特点：
提拉速度和旋转速度在触摸屏上设置，具有故障报警、报警记录、数据记录，断电自动处理，超压报警等，数据记录可以通过U盘拷出放入计算机进行分析。称重系统适合小晶体。已经成功生长多重晶体。
光电子材料仪器设备事业部在晶体材料研究与生产方面有50余年历史，从事光电晶体材料的研发、生长和设备研制，拥有提拉法、下降法、助熔剂法、区熔法、泡生法、导模法和热交换法等多种晶体生长方法和多套晶体生长设备和工艺，同时还拥有完善的检测晶体材料性能的检测设备。
提供晶体材料的研发、技术支持及产业化服务。并提供各种晶体生长及高温热处理设备（晶体生长炉、真空炉、气氛炉、退火炉和实验炉等）的研发、技术支持和产业化。
提拉法与提拉炉：
提拉法又称丘克拉斯基法，是丘克拉斯基(J.Czochralski)在1917年发明的从熔体中提拉生长高质量单晶的方法，简称CZ法。提拉法是常用的单晶生长方法，可以生长包括铌酸锂、钽酸锂、氟化镁钇铝石榴石、蓝宝石、尖晶石、钒酸钇等多种晶体。提拉法生长晶体的提拉炉，包括加热装置、传动装置、气氛控制装置和控制装置等。
导模法：
导模法是由苏联学者Stepanov于1960年前后提出的，也称Stepanov法或者EFG法。随着时间的推移，这种方法不断发展，已经成为一种重要的晶体生长方法。这种晶体生长方法具有晶体生长速度快、成本低、晶体加工简单、组分均匀等优点。导模法在单晶光纤、蓝宝石整流罩、蓝宝石管材、棒材等领域中诸多应用。
下降法：
下降法是由Bridgmen于1925年提出的，因此也称为Bridgmen法。这种方法的原理是将晶体原料装入坩埚中，通过炉体和坩埚的相对运动，实现晶体的生长。下降法常用于生长低熔点闪烁晶体，例如锗酸铋晶体、碘化铯晶体、钨酸铅等晶体。下降炉一般采用管式设计，一般有三个温区，分别是高温区、梯度区和低温区。
